文献
J-GLOBAL ID:201202293054290629
整理番号:12A0726214
溶液処理したhigh-k誘電体,ZrO2と薄膜トランジスタへの集積
Solution-Processed High-k Dielectric, ZrO2, and Integration in Thin-Film Transistors
著者 (2件):
LEE Chen-Guan
(The Univ. of Texas at Austin, Microelectronics Res. Center, 10100 Burnet Road, Bldg. 160, 78758, Austin, TX, USA)
,
DODABALAPUR Ananth
(The Univ. of Texas at Austin, Microelectronics Res. Center, 10100 Burnet Road, Bldg. 160, 78758, Austin, TX, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
41
号:
5
ページ:
895-898
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)