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文献
J-GLOBAL ID：201202293195144227
整理番号：12A0140436
高強度光波の存在する中でのKane型半導体の量子井戸,反転層およびNIPI超格子における二次元有効電子質量について
On the two dimensional effective electron mass in quantum wells, inversion layers and NIPI superlattices of Kane type semiconductors in the presence of strong light waves: Simplified theory and relative comparison
BHATTACHARYA S.
(Nanoscale Device Res. Lab., Center for Electronics Design and Technol., Indian Inst. Sci., Bangalore 560012, IND)
,
DE D.
(Dep. of Computer Sci. and Engineering, West Bengal Univ. of Technol., B.F. 142, Sector 1, Salt Lake City, Kolkata ...)
,
DE D.
(School of Physics, Univ. of Western Australia, The Univ. of Western Australia, 35 Stirling Highway Crawley, Perth ...)
,
ADHIKARI S.m.
(Dep. of Electronic Sci., Univ. of Calcutta, 92 Achrya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, IND)
,
GHATAK K.p.
(Dep. of Electronic Sci., Univ. of Calcutta, 92 Achrya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, IND)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 51 号： 2 ページ： 203-222 発行年： 2012年02月
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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