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文献
J-GLOBAL ID：201202293227703266
整理番号：12A0385850
窒素ソースとしてアンモニアを用いた均一組成のGaN格子に整合したInAlNの分子線エピタキシー
Molecular beam epitaxy of InAlN lattice-matched to GaN with homogeneous composition using ammonia as nitrogen source
HOI WONG Man
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
WU Feng
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
HURNI Christophe A.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
CHOI Soojeong
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
SPECK James S.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 7 ページ： 072107 発行年： 2012年02月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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