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文献
J-GLOBAL ID：201202293302257960
整理番号：12A0495339
将来の非常に薄いシリコン-オン-インシュレータデバイスのためのシリコン単分子層の実証研究:量子閉じ込め効果によるフォノン/バンド構造変調
Experimental Study of Silicon Monolayers for Future Extremely Thin Silicon-on-Insulator Devices: Phonon/Band Structures Modulation Due to Quantum Confinement Effects
MIZUNO Tomohisa
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
TOBE Keisuke
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
MARUYAMA Yohichi
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
SAMESHIMA Toshiyuki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 2,Issue 2 ページ： 02BC03.1-02BC03.8 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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