文献
J-GLOBAL ID:201202293658252296
整理番号:12A1579009
不揮発性メモリ用ケイ化ニッケルナノ結晶の急速熱酸素アニーリング形成
Rapid thermal oxygen annealing formation of nickel silicide nanocrystals for nonvolatile memory
著者 (4件):
ZHOU Huimei
(Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA)
,
LI Zonglin
(Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA)
,
ZHENG Jian-Guo
(Univ. of California, Lab. for Electron and X-ray Instrumentation, California Inst. for Telecommunications and ...)
,
LIU Jianlin
(Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
109
号:
3
ページ:
535-538
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)