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文献
J-GLOBAL ID：201202294303611470
整理番号：12A0854170
Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用
Heteroepitaxial growth of GaN on Si substrate and its application to devices.
江川孝志
(名古屋工大 極微デバイス機能システム研究セ)
資料名：
応用物理
(JSAP International)
巻： 81 号： 6 ページ： 485-488 発行年： 2012年06月10日
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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