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文献
J-GLOBAL ID：201202294420920548
整理番号：12A1081019
n-Si,n-Ge,およびn-InGaAsを基本とする超低抵抗率の金属-絶縁体-半導体接触を形成する絶縁体を選択するための総合的なモデル
A unified model for insulator selection to form ultra-low resistivity metal-insulator-semiconductor contacts to n-Si, n-Ge, and n-InGaAs
AGRAWAL Ashish
(Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
,
SHUKLA Nikhil
(Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
,
AHMED Khaled
(Applied Materials, Santa Clara, California 95054-3299, USA)
,
DATTA Suman
(Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 4 ページ： 042108-042108-4 発行年： 2012年07月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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