文献
J-GLOBAL ID:201202294544846281
整理番号:12A1765770
平坦性がかなりよいIb型ダイヤモンド基板上でのマイクロ波プラズマCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長
Growth of homoepitaxial diamond thin film on the fairly-well flat Ib-type diamond substrate using micro-wave plasma CVD method
著者 (5件):
SHIRAI Shoma
(Kanagawa Univ., Hiratsuka)
,
MOTOSUGI Taro
(Kanagawa Univ., Hiratsuka)
,
HOSHINO Yasushi
(Kanagawa Univ., Hiratsuka)
,
SAITO Yasunao
(Kanagawa Univ., Hiratsuka)
,
NAKATA Jyoji
(Kanagawa Univ., Hiratsuka)
資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号:
30
ページ:
25-30
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
L0263A
ISSN:
0914-2908
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)