文献
J-GLOBAL ID:201202294562441060
整理番号:12A0495512
GaN 基板パターン化によるインジウム含量の横方向制御とIII-窒化物ダイオード・レーザーの波長
Lateral Control of Indium Content and Wavelength of III-Nitride Diode Lasers by Means of GaN Substrate Patterning
著者 (17件):
SARZYNSKI Marcin
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
SARZYNSKI Marcin
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
SUSKI Tadeusz
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
STASZCZAK Grzegorz
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
KHACHAPURIDZE Aleksander
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
DOMAGALA Jarostaw Z.
(Inst. Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
CZERNECKI Robert
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
CZERNECKI Robert
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
PLESIEWICZ Jerzy
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
PAWLOWSKA Joanna
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
NAJDA Stephen P.
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
BOCKOWSKI Michal
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
BOCKOWSKI Michal
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
PERLIN Piotr
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
PERLIN Piotr
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
,
LESZCZYNSKI Michal
(Inst. High Pressure Physics, PAS, Warsaw, POL)
,
LESZCZYNSKI Michal
(TopGaN Ltd., Warsaw, POL)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
2
ページ:
021001.1-021001.3
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)