文献
J-GLOBAL ID:201202294651228566
整理番号:12A1287313
斜めイオン入射のSiプラズマエッチングにより生ずるナノ表面リップルのモデリングとシミュレーション
Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence
著者 (4件):
TSUDA Hirotaka
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TAKAO Yoshinori
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ERIGUCHI Koji
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ONO Kouichi
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
8,Issue 2
ページ:
08HC01.1-08HC01.7
発行年:
2012年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)