文献
J-GLOBAL ID:201202294779781713
整理番号:12A1048072
強結合量子化学分子動力学法にもとづく結晶成長シミュレーターの開発とシリコンの化学蒸着プロセスへの応用
Development of Crystal Growth Simulator Based on Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Method and Its Application to Silicon Chemical Vapor Deposition Processes
著者 (5件):
KUWAHARA Takuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ITO Hiroshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIGUCHI Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OZAWA Nobuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUBO Momoji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
116
号:
23
ページ:
12525-12531
発行年:
2012年06月14日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)