文献
J-GLOBAL ID:201202294905143744
整理番号:12A1524993
Si/SiGeヘテロ構造チャネル上の高移動度CMOSトランジスタ
High mobility CMOS transistors on Si/SiGe heterostructure channels
著者 (10件):
OH Jungwoo
(Yonsei Univ., Incheon, KOR)
,
JEON Kanghoon
(Univ. California, CA, USA)
,
LEE Se-Hoon
(Univ. Texas, TX, USA)
,
HUANG Jeff
(SEMATECH, TX, USA)
,
HUNG P.Y.
(SEMATECH, TX, USA)
,
OK Injo
(SEMATECH, TX, USA)
,
SASSMAN Barry
(SEMATECH, TX, USA)
,
KIRSCH Paul
(SEMATECH, TX, USA)
,
JAMMY Raj
(SEMATECH, TX, USA)
,
KO Dae-Hong
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
97
ページ:
26-28
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)