文献
J-GLOBAL ID:201202294918290851
整理番号:12A0256679
六フッ化硫黄における逃走電子生成の数値シミュレーション
Numerical simulation of runaway electrons generation in sulfur hexafluoride
著者 (2件):
LEVKO D.
(Dep. of Physics, Technion, 32000 Haifa, ISR)
,
KRASIK Ya. E.
(Dep. of Physics, Technion, 32000 Haifa, ISR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
1
ページ:
013305
発行年:
2012年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)