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文献
J-GLOBAL ID:201202294959368741   整理番号:12A0135093

Si(100)と(110)面上の蓄積モードFD-SOI MOSFETでの1/f雑音の抑制

Suppression of 1/f Noise in Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces
著者 (7件):
CHENG W.
(Tohoku Univ.)
TYE C.
(Tohoku Univ.)
GAUBERT P.
(Tohoku Univ.)
TERAMOTO A.
(Tohoku Univ.)
SUGAWA S.
(Tohoku Univ.)
OHMI T.
(Tohoku Univ.)
OHMI T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

資料名:
AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)

巻: 1129  ページ: 337-340  発行年: 2009年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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