文献
J-GLOBAL ID:201202294959368741
整理番号:12A0135093
Si(100)と(110)面上の蓄積モードFD-SOI MOSFETでの1/f雑音の抑制
Suppression of 1/f Noise in Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces
著者 (7件):
CHENG W.
(Tohoku Univ.)
,
TYE C.
(Tohoku Univ.)
,
GAUBERT P.
(Tohoku Univ.)
,
TERAMOTO A.
(Tohoku Univ.)
,
SUGAWA S.
(Tohoku Univ.)
,
OHMI T.
(Tohoku Univ.)
,
OHMI T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1129
ページ:
337-340
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)