文献
J-GLOBAL ID:201202298231280924
整理番号:12A0379287
ファブ-アベイラブル材料によって構築した自己矯正及び成形無しHfOxベース高性能RRAM
Self-Rectifying and Forming-Free Unipolar HfOx based-High Performance RRAM Built by Fab-Avaialbe Materials
著者 (17件):
TRAN X. A.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
GAO B.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
GAO B.
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
KANG J. F.
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WU X.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WU L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
FANG Z.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
FANG Z.
(A*STAR, Singapore)
,
WANG Z. R.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
PEY K. L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YEO Y. C.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
DU A. Y.
(GLOBALFOUNDRIES Singapore)
,
LIU M.
(Inst. Microelectronics, CAS, Beijing, CHN)
,
NGUYEN B. Y.
(Soitec, Crolles, FRA)
,
LI M. F.
(Fudan Univ., CHN)
,
YU H. Y.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YU H. Y.
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2011
ページ:
713-716
発行年:
2011年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)