文献
J-GLOBAL ID:201202298715726196
整理番号:12A0579348
GaN-をベースとする光検出器に及ぼすニッケルアニーリングの効果
Effect of Nickel Annealing on GaN-Based Photodetectors
著者 (7件):
CHEN T. P.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
YOUNG S. J.
(National Formosa Univ., Yunlin, TWN)
,
CHANG S. J.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG S. M.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HSIAO C. H.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HUANG B. R.
(National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN)
,
YANG C. B.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
15
号:
4
ページ:
H111-H114
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)