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文献
J-GLOBAL ID：201202299035919921
整理番号：12A1143575
19nmテクノロジーによる書込み速度18MB/sで400Mb/sトグルモードの128Gb 3b/セルNANDフラッシュメモリ
128Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 19nm Technology with 18MB/s Write Rate and 400Mb/s Toggle Mode
LI Yan
(Sandisk, CA)
,
LEE Seungpil
(Sandisk, CA)
,
OOWADA Ken
(Sandisk, CA)
,
NGUYEN Hao
(Sandisk, CA)
,
NGUYEN Qui
(Sandisk, CA)
,
MOKHLESI Nima
(Sandisk, CA)
,
HSU Cynthia
(Sandisk, CA)
,
LI Jason
(Sandisk, CA)
,
RAMACHANDRA Venky
(Sandisk, CA)
,
KAMEI Teruhiko
(Sandisk, CA)
,
HIGASHITANI Masaaki
(Sandisk, CA)
,
PHAM Tuan
(Sandisk, CA)
,
HONMA Mitsuaki
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
WATANABE Yoshihisa
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
INO Kazumi
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
LE Binh
(Sandisk, CA)
,
WOO Byungki
(Sandisk, CA)
,
HTOO Khin
(Sandisk, CA)
,
TSENG Tai-Yuan
(Sandisk, CA)
,
PHAM Long
(Sandisk, CA)
,
TSAI Frank
(Sandisk, CA)
,
KIM Kwang-Ho
(Sandisk, CA)
,
CHEN Yi-Chieh
(Sandisk, CA)
,
SHE Min
(Sandisk, CA)
,
YUH Jong
(Sandisk, CA)
,
CHU Alex
(Sandisk, CA)
,
CHEN Chen
(Sandisk, CA)
,
PURI Ruchi
(Sandisk, CA)
,
LIN Hung-Szu
(Sandisk, CA)
,
CHEN Yi-Fang
(Sandisk, CA)
,
MAK William
(Sandisk, CA)
,
HUYNH Jonathan
(Sandisk, CA)
,
CHAN Jim
(Sandisk, CA)
,
WATANABE Mitsuyuki
(Sandisk, CA)
,
YANG Daniel
(Sandisk, CA)
,
SHAH Grishma
(Sandisk, CA)
,
SOURIRAJ Pavithra
(Sandisk, CA)
,
TADEPALLI Dinesh
(Sandisk, CA)
,
TENUGU Suman
(Sandisk, CA)
,
GAO Ray
(Sandisk, CA)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012 ページ： 436-437 発行年： 2012年
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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