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文献
J-GLOBAL ID:201202299052247457   整理番号:12A0438627

結晶シリコン上に積層したSiNx/a-SiとSiNx/Si過剰SiNx積層の不動態化特性

Passivation characteristics of SiNx/a-Si and SiNx/Si-rich-SiNx stacked layers on crystalline silicon
著者 (6件):
CHAM THI Trinh
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
KOYAMA Koichi
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
KOYAMA Koichi
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
OHDAIRA Keisuke
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
MATSUMURA Hideki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)

資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)

巻: 100  ページ: 169-173  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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