文献
J-GLOBAL ID:201202299052247457
整理番号:12A0438627
結晶シリコン上に積層したSiNx/a-SiとSiNx/Si過剰SiNx積層の不動態化特性
Passivation characteristics of SiNx/a-Si and SiNx/Si-rich-SiNx stacked layers on crystalline silicon
著者 (6件):
CHAM THI Trinh
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
KOYAMA Koichi
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
KOYAMA Koichi
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
,
OHDAIRA Keisuke
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
MATSUMURA Hideki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
100
ページ:
169-173
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)