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文献
J-GLOBAL ID：201202299170657104
整理番号：12A1175221
金属-絶縁体-金属キャパシタに使用するTiO2薄膜の誘導結合プラズマシステム中におけるドライエッチング特性
The dry etching property of TiO2 thin films using metal-insulator-metal capacitor in inductively coupled plasma system
WOO Jong-chang
(School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
,
CHUN Yoon-soo
(School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
,
JOO Young-hee
(School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
,
KIM Chang-ii
(School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 86 号： 12 ページ： 2152-2157 発行年： 2012年07月20日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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