文献
J-GLOBAL ID:201202299881413020
整理番号:12A0226095
AlxGa1-xNエピタキシャル薄膜の格子歪みとエネルギーギャップボウイング(Bowing)間の関係
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
著者 (9件):
ZHAO Lan
(Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
,
LU Zhengxiong
(Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
,
CHENG Caijing
(Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
,
ZHAO Degang
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHU Jianjun
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
SUN Baojuan
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
QU Bo
(Jordan Valley Semiconductors UK Ltd., Durham, GBR)
,
ZHANG Xiangfeng
(Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
,
SUN Weiguo
(Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
610/613
号:
Pt.1
ページ:
598-603
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)