文献
J-GLOBAL ID:201302160843212990
整理番号:96A0900639
単一源のMOCVD過程による硫化銅薄層の作製
Preparation of Copper Sulfide Thin Layers by a Single-Source MOCVD Process.
著者 (4件):
NOMURA R
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
MIYAWAKI K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
TOYOSAKI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MATSUDA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Chemical Vapor Deposition
(Chemical Vapor Deposition)
巻:
2
号:
5
ページ:
CVD,174-179
発行年:
1996年09月
JST資料番号:
W0908A
ISSN:
0948-1907
CODEN:
CVDEFX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)