文献
J-GLOBAL ID:201302200380704556
整理番号:13A0029801
陽極酸化アルミニウム酸化物を使った二端子電荷捕獲WORMデバイス
Two-Terminal Charge-Trapping WORM Memory Device Using Anodic Aluminum Oxide
著者 (2件):
HOURDAKIS E.
(Inst. Microelectronics (IMEL), Athens, GRC)
,
NASSIOPOULOU A. G.
(Inst. Microelectronics (IMEL), Athens, GRC)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
12
号:
10
ページ:
7968-7974
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)