文献
J-GLOBAL ID:201302200694018223
整理番号:13A0243828
インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物フローティングゲートを持つツイン薄膜トランジスタ不揮発性メモリ
Twin Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory With an Indium-Gallium-Zinc-Oxide Floating Gate
著者 (4件):
HUNG Min-Feng
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Yung-Chun
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Jiun-Jye
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG-LIAO Kuei-Shu
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
1
ページ:
75-77
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)