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文献
J-GLOBAL ID：201302200990654526
整理番号：13A0249910
固溶体とAgドーピングによるMg2(Ge,Sn)化合物のp型熱電性能の改善
Improving p-type thermoelectric performance of Mg2(Ge,Sn) compounds via solid solution and Ag doping
JIANG Guangyu
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
CHEN Luxin
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
HE Jian
(Dep. of Physics and Astronomy, Clemson Univ., Clemson, SC 29634-0978, USA)
,
GAO Hongli
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
DU Zhengliang
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
ZHAO Xinbing
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
TRITT Terry M.
(Dep. of Physics and Astronomy, Clemson Univ., Clemson, SC 29634-0978, USA)
,
ZHU Tiejun
(State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
ZHU Tiejun
(Cyrus Tang Center for Sensor Materials and Applications, Zhejiang Univ., Hangzhou, 310027, CHN)
資料名：
Intermetallics
(Intermetallics)
巻： 32 ページ： 312-317 発行年： 2013年01月
JST資料番号： W0672A ISSN： 0966-9795 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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