文献
J-GLOBAL ID:201302201038486691
整理番号:13A0561846
(110)TbScO3上に成長したNaNbO3エピタキシャル薄膜における異方的一次元分域パターン
Anisotropic one-dimensional domain pattern in NaNbO3 epitaxial thin films grown on (110) TbScO3
著者 (3件):
DUK A.
(Leibniz-Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, DEU)
,
SCHMIDBAUER M.
(Leibniz-Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, DEU)
,
SCHWARZKOPF J.
(Leibniz-Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
9
ページ:
091903-091903-4
発行年:
2013年03月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)