文献
J-GLOBAL ID:201302201852144629
整理番号:12A1798834
熱堆積による6H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンの優先アームチェアエッジ
Preferred armchair edges of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by thermal decomposition
著者 (4件):
HU T. W.
(State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN)
,
MA D. Y.
(State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN)
,
MA F.
(State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN)
,
XU K. W.
(State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
24
ページ:
241903-241903-5
発行年:
2012年12月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)