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文献
J-GLOBAL ID:201302202154467862   整理番号:13A1473285

4H-SiC金属-半導体-金属紫外光検出器の温度依存特性の分析

Analysis of temperature-dependent characteristics of a 4H-SiC metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector
著者 (7件):
Chen Bin
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
Yang YinTang
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
Xie XuanRong
(No. 771 Inst. of Microelectronics Technol., Xi’an)
Wang Ning
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
Ma ZhenYang
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
Song Kun
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
Zhang XianJun
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)

資料名:
Chinese Science Bulletin  (Chinese Science Bulletin)

巻: 57  号: 34  ページ: 4427-4433  発行年: 2012年 
JST資料番号: A0206B  ISSN: 1001-6538  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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