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文献
J-GLOBAL ID:201302202945451390   整理番号:13A1802706

高性能低温電界効果トランジスタのための溶液処理されたLiFドープのZnO膜および倒立型太陽電池

Solution-Processed LiF-Doped ZnO Films for High Performance Low Temperature Field Effect Transistors and Inverted Solar Cells
著者 (6件):
CHANG Jingjing
(National Univ. Singapore, Singapore)
LIN Zhenhua
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
ZHU Chunxiang
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
CHI Chunyan
(National Univ. Singapore, Singapore)
ZHANG Jie
(Inst. of Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
WU Jishan
(National Univ. Singapore, Singapore)

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻:号: 14  ページ: 6687-6693  発行年: 2013年07月24日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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