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J-GLOBAL ID：201302202968500690 整理番号：13A0953839

応力/転位加工中間層を使って改善されたSi(111)基板上に成長したGaNを用いたLED

Improved GaN-based LED grown on silicon (111) substrates using stress/dislocation-engineered interlayers

著者 (5件)：

MA Jun

(Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)

,

ZHU Xueliang

(Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)

,

WONG Ka Ming

(Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)

,

ZOU Xinbo

(Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)

,

LAU Kei May

(Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 370 ページ： 265-268 発行年： 2013年05月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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