文献
J-GLOBAL ID:201302204746875729
整理番号:13A1134980
液相堆積膜チタン酸ストロンチウムを使用したAlGaN/GaN MOS高電子移動度トランジスタ
AlGaN/GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistor using liquid-phase deposited strontium titanate
著者 (7件):
WU Tsu-Yi
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HU Chih-Chun
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HUANG Tong-Jyun
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
ADRIYANTO Feri
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Yeong-Her
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SZE Po-Wen
(Kao-Yuan Univ. Technol., Kaohsiung, TWN)
,
WU Chang-Luen
(Transcom Inc., Tainan, TWN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
82
ページ:
1-5
発行年:
2013年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)