文献
J-GLOBAL ID:201302205172392674
整理番号:13A1188014
弾性イオンゲルゲート誘電体を用いた伸縮性MoS2薄膜トランジスタの作製
Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics
著者 (7件):
PU Jiang
(Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN)
,
ZHANG Yijin
(Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, Tokyo 113-8656, JPN)
,
WADA Yoshifumi
(Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN)
,
TSE-WEI WANG Jacob
(Inst. of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan)
,
LI Lain-jong
(Inst. of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan)
,
IWASA Yoshihiro
(Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKENOBU Taishi
(Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
2
ページ:
023505-023505-4
発行年:
2013年07月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)