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文献
J-GLOBAL ID：201302205509524888
整理番号：13A1130855
InGaN/GaN多重量子井戸発光ダイオードの意図的に形成したV形ピットを用いた効率と電気的性質の向上
Improvement of efficiency and electrical properties using intentionally formed V-shaped pits in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
HAN Sang-heon
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
LEE Dong-yul
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
SHIM Hyun-wook
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
WOOK LEE Jeong
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
KIM Dong-joon
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
YOON Sukho
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
SUN KIM Young
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
,
KIM Sung-tae
(LED Business, Samsung Electronics Co. Ltd., Giheung-gu, Yongin-si 446-711, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 102 号： 25 ページ： 251123-251123-4 発行年： 2013年06月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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