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文献
J-GLOBAL ID：201302205793603881
整理番号：13A1220665
低い書込み電流を得る電流密度増大ナノ接触相変化メモリ
Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current
YIN You
(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)
,
HOSAKA Sumio
(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)
,
IK PARK Woon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
,
SIK JUNG Yeon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
,
JAE LEE Keon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
,
KUK YOU Byoung
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
,
LIU Yang
(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
,
YU Qi
(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 3 ページ： 033116-033116-5 発行年： 2013年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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