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文献
J-GLOBAL ID：201302207278931747
整理番号：13A0680659
原子的に平坦なシリコン表面上に熱的に成長させた超薄SiO2膜の微視的厚さの均一性および時間依存誘電破壊寿命時間分散
Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO2 Film on Atomically Flat Si Surface
HASUNUMA Ryu
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HAYASHI Yusuke
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OTA Masahiro
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMABE Kikuo
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 3,Issue 1 ページ： 031301.1-031301.6 発行年： 2013年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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