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文献
J-GLOBAL ID:201302207278931747   整理番号:13A0680659

原子的に平坦なシリコン表面上に熱的に成長させた超薄SiO2膜の微視的厚さの均一性および時間依存誘電破壊寿命時間分散

Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO2 Film on Atomically Flat Si Surface
著者 (4件):
HASUNUMA Ryu
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
HAYASHI Yusuke
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
OTA Masahiro
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
YAMABE Kikuo
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 52  号: 3,Issue 1  ページ: 031301.1-031301.6  発行年: 2013年03月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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