文献
J-GLOBAL ID:201302207332753620
整理番号:13A1317101
閾値電圧を高い正値へ偏移させるためのAlGaNチャンネルを持つAlN障壁HFET
AlN barrier HFETs with AlGaN channels to shift the threshold voltage to higher positive values: a proposal
著者 (4件):
HAHN Herwig
(RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
,
REUTERS Ben
(RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
,
KALISCH Holger
(RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
,
VESCAN Andrei
(RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
7
ページ:
074017,1-8
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)