文献
J-GLOBAL ID:201302208311635390
整理番号:13A0486607
ナノスケールAlN中間層を有する高い電子易動度を示すAlGaN/AlN/GaNHEMT構造
High Electron Mobility AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure With a Nano-scale AlN Interlayer
著者 (6件):
HUANG Shih-Chun
(National Formosa Univ., Yunlin, TWN)
,
CHEN Wen-Ray
(National Formosa Univ., Yunlin, TWN)
,
HSU Yu-Ting
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Jia-Ching
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
,
CHANG Kuo-Jen
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
,
LIN Wen-Jen
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8467
ページ:
84670W.1-84670W.6
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)