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文献
J-GLOBAL ID：201302208311635390
整理番号：13A0486607
ナノスケールAlN中間層を有する高い電子易動度を示すAlGaN/AlN/GaNHEMT構造
High Electron Mobility AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure With a Nano-scale AlN Interlayer
HUANG Shih-Chun
(National Formosa Univ., Yunlin, TWN)
,
CHEN Wen-Ray
(National Formosa Univ., Yunlin, TWN)
,
HSU Yu-Ting
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Jia-Ching
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
,
CHANG Kuo-Jen
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
,
LIN Wen-Jen
(Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 8467 ページ： 84670W.1-84670W.6 発行年： 2012年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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