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文献
J-GLOBAL ID：201302208837123300
整理番号：13A0794594
Si上のAlGaN/GaN-HEMT利用によるヘテロエピタクシー成長とパワーエレクトロニクス
Heteroepitaxial Growth and Power Electronics using AlGaN/GaN HEMT on Si
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012 ページ： 613-616 発行年： 2012年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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