文献
J-GLOBAL ID:201302209631601449
整理番号:13A0311972
H支援プラズマ化学蒸着により蒸着した炭素膜のH2/N2プラズマエッチング率
H2/N2 Plasma Etching Rate of Carbon Films Deposited by H-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition
著者 (16件):
URAKAWA Tatsuya
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TORIGOE Ryuhei
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MATSUZAKI Hidefumi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YAMASHITA Daisuke
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
UCHIDA Giichiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KOGA Kazunori
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KOGA Kazunori
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SHIRATANI Masaharu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SHIRATANI Masaharu
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SETSUHARA Yuichi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SETSUHARA Yuichi
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
TAKEDA Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI Masaru
(JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
1,Issue 2
ページ:
01AB01.1-01AB01.4
発行年:
2013年01月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)