文献
J-GLOBAL ID:201302210564833419
整理番号:13A0757540
スピンギャップレス半導体の実現:ホイスラー化合物Mn2CoAl
Realization of Spin Gapless Semiconductors: The Heusler Compound Mn2CoAl
著者 (4件):
OUARDI Siham
(Max Planck Inst. Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU)
,
FECHER Gerhard H.
(Max Planck Inst. Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU)
,
FELSER Claudia
(Max Planck Inst. Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU)
,
KUEBLER Juergen
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
110
号:
10
ページ:
100401.1-100401.5
発行年:
2013年03月08日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)