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文献
J-GLOBAL ID：201302211530523425
整理番号：13A1792661
ゲートスイングが大きく電流コラプスが小さい600VノーマリオフSiNx/AlGaN/GaN MIS-HEMT
600-V Normally Off SiNx/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
TANG Zhikai
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
JIANG Qimeng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LU Yunyou
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
HUANG Sen
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
HUANG Sen
(Inst. Microelectronics Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YANG Shu
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
TANG Xi
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 34 号： 11 ページ： 1373-1375 発行年： 2013年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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