文献
J-GLOBAL ID:201302211890952661
整理番号:13A0937115
付加的赤外線照射下のSiナノ構造からの光子生成キャリア取出しの増強
Enhanced photon-generated carrier extraction from Si nanostructure under additional infrared light irradiation
著者 (6件):
YU Wei
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
,
XU Yanmei
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
,
LI Huimin
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
,
WANG Jin
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
,
FU Guangsheng
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
,
LU Wanbing
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Hebei Univ., Baoding, Hebei Province 071002, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
20
ページ:
201101-201101-4
発行年:
2013年05月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)