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文献
J-GLOBAL ID：201302212498250132
整理番号：13A0794536
SOI基板上に直接形成された最初の実験的なGe CMOS FinFET
First Experimental Ge CMOS FinFETs Directly on SOI Substrate
CHUNG Cheng-Ting
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Che-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Jyun-Chih
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Che-Chen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIEN Chao-Hsin
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIEN Chao-Hsin
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
LUO Guang-Li
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012 ページ： 383-386 発行年： 2012年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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