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文献
J-GLOBAL ID：201302213601908504
整理番号：13A1769202
非晶質インジウム-錫-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの負電荷捕獲のバイアス応力誘起閾値電圧シフト依存性
Bias-stress-induced threshold voltage shift dependence of negative charge trapping in the amorphous indium tin zinc oxide thin-film transistors
NGUYEN Cam Phu Thi
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
TRINH Thanh Thuy
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
DAO Vinh Ai
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
RAJA Jayapal
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
JANG Kyungsoo
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
LE Tuan Anh Huy
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
IFTIQUAR S M
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
YI Junsin
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 28 号： 10 ページ： 105014,1-6 発行年： 2013年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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