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文献
J-GLOBAL ID：201302213683594480
整理番号：13A0956841
室温で大きな膜厚依存スイッチング比を示す電解質ゲートSmCoO3薄膜トランジスタ
Electrolyte-Gated SmCoO3 Thin-Film Transistors Exhibiting Thickness-Dependent Large Switching Ratio at Room Temperature
XIANG Ping-Hua
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
XIANG Ping-Hua
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
ASANUMA Shutaro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ASANUMA Shutaro
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
YAMADA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SATO Hiroshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
INOUE Isao H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
AKOH Hiroshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
AKOH Hiroshi
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
SAWA Akihito
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KAWASAKI Masashi
,
IWASA Yoshihiro
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 25 号： 15 ページ： 2158-2161 発行年： 2013年04月18日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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