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文献
J-GLOBAL ID:201302213683594480   整理番号:13A0956841

室温で大きな膜厚依存スイッチング比を示す電解質ゲートSmCoO3薄膜トランジスタ

Electrolyte-Gated SmCoO3 Thin-Film Transistors Exhibiting Thickness-Dependent Large Switching Ratio at Room Temperature
著者 (12件):
XIANG Ping-Hua
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
XIANG Ping-Hua
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
ASANUMA Shutaro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
ASANUMA Shutaro
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
YAMADA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
SATO Hiroshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
INOUE Isao H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
AKOH Hiroshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
AKOH Hiroshi
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
SAWA Akihito
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
KAWASAKI Masashi
IWASA Yoshihiro

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 25  号: 15  ページ: 2158-2161  発行年: 2013年04月18日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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