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文献
J-GLOBAL ID：201302213976930590
整理番号：13A0787373
キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価
Structure and Characteristics of Pentacene Field-Effect Transistors with Carrier Generation Layer
薄葉俊
(新潟大)
,
馬場暁
(新潟大)
,
新保一成
(新潟大)
,
加藤景三
(新潟大)
,
金子双男
(新潟大)
,
皆川正寛
(長岡工高専)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 469(OME2012 105-113) ページ： 9-12 発行年： 2013年03月01日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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