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文献
J-GLOBAL ID：201302215979410000
整理番号：13A0016730
InxGa1-xN/GaNナノワイヤヘテロ構造のIn含有量と放出波長との間の相関
Correlation between In content and emission wavelength of InxGa1-xN/GaN nanowire heterostructures
WOELZ M
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
LAEHNEMANN J
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
BRANDT O
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
KAGANER V M
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
RAMSTEINER M
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
PFUELLER C
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
HAUSWALD C
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
HUANG C N
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
GEELHAAR L
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
RIECHERT H
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 23 号： 45 ページ： 455203,1-6 発行年： 2012年11月16日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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