文献
J-GLOBAL ID:201302216003233569
整理番号:13A0794634
ASリッチInGaAs表面でのダングリングボンド除去のメカニズム
Mechanism of Dangling Bond Elimination on As-rich InGaAs Surface
著者 (8件):
MELITZ Wilhelm
(Univ. Cal., CA, USA)
,
CHAGAROV Evgueni
(Univ. Cal., CA, USA)
,
KENT Tyler
(Univ. Cal., CA, USA)
,
DROOPAD Ravi
(Texas State U., TX, USA)
,
AHN Jaesoo
(Stanford U., CA, USA)
,
LONG Rathnait
(Stanford U., CA, USA)
,
MCINTYRE Paul C.
(Stanford U., CA, USA)
,
KUMMEL Andrew C.
(Univ. Cal., CA, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
772-775
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)