文献
J-GLOBAL ID:201302216962381496
整理番号:13A1107887
Ga1-xHoxN(x=0.0および0.05)希釈磁性半導体薄膜における室温強磁性
Room Temperature Ferromagnetism in Ga1-xHoxN (x=0.0 and 0.05) Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films
著者 (5件):
Rai Ghulam Murtaza
(Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore)
,
Iqbal Muhammad Azhar
(Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore)
,
Xu Yongbing
(Spintronics Lab., Dep. of Electronics, The Univ. of York, UK, York)
,
Will Iain Gordon
(Spintronics Lab., Dep. of Electronics, The Univ. of York, UK, York)
,
Mahmood Qasim
(Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore)
資料名:
Chinese Journal of Chemical Physics
(Chinese Journal of Chemical Physics)
巻:
25
号:
3
ページ:
313-317
発行年:
2012年
JST資料番号:
C2010A
ISSN:
1674-0068
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)