文献
J-GLOBAL ID:201302217804848588
整理番号:13A0722020
溝型MOSFETの信頼性に対する溝エッチング後損傷除去処理の効果
Effect of damage removal treatment after trench etching on the reliability of trench MOSFET
著者 (8件):
MIYAHARA S.
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
WATANABE H.
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
YAMAMOTO T.
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
TSURUTA K.
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
ONDA S.
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
SOEJIMA N.
(Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN)
,
WATANABE Y.
(Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN)
,
MORIMOTO J.
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
740/742
ページ:
789-792
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)