文献
J-GLOBAL ID:201302219094886674
整理番号:13A1769213
ケイ素上のパターン形成自己触媒GaAsナノワイヤ成長の機会と落し穴
Opportunities and pitfalls in patterned self-catalyzed GaAs nanowire growth on silicon
著者 (3件):
GIBSON Sandra J
(McMaster Univ., Ontario, CAN)
,
BOULANGER Jonathan P
(McMaster Univ., Ontario, CAN)
,
LAPIERRE Ray R
(McMaster Univ., Ontario, CAN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
10
ページ:
105025,1-9
発行年:
2013年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)